產(chǎn)品介紹
產(chǎn)品 · 參數(shù)
SiC基單層石墨烯電極
SiC基單層石墨烯電極是在SiC基底上生長(zhǎng) 1 個(gè) 15 x 15 mm2單層石墨烯樣品。SiC基單層石墨烯電極是由碳（C）原子組成的晶體平面，sp2鍵在蜂窩晶格中結(jié)合，其中碳與三個(gè)平面內(nèi)鍵結(jié)合，而第四個(gè)在垂直方向上是不飽和鍵。這種晶體結(jié)構(gòu)負(fù)責(zé)石墨烯的*特性。在本產(chǎn)品中，石墨烯在Si端接SiC基板上形成。形成的碳層稱為界面層或緩沖層，它是絕緣的，因?yàn)樗奶荚佑腥种慌cSiC基板共價(jià)結(jié)合。外延石墨烯是指在界面層之上形成的碳層，具有隔離單層石墨烯典型的線性分散。
本產(chǎn)品為極耐用電極，適合多種使用。如果涂覆了涂層，無(wú)論采用何種沉積技術(shù)，都可以通過(guò)強(qiáng)酸或堿溶液（取決于涂層性質(zhì)）去除涂層，而不會(huì)影響石墨烯層。請(qǐng)注意，如果應(yīng)用的電勢(shì)高于 +2V，SiC 上的單層石墨烯可能會(huì)以電化學(xué)方式降解。
產(chǎn)品配置
標(biāo)準(zhǔn)套件
1、覆蓋率： 100%
2、厚度變化：< 10%
3、電導(dǎo)率類型：n型
4、薄板載體密度：2 x 1012 × 5 x 1012厘米-2
5、移動(dòng)性： 1500 - 2200 厘米2/V
6、基板類型：4H-SIC HPSI
7、基板厚度：0.5 毫米
8、基板方向：軸上
9、基板電阻率范圍：± 1 x 105 °cm
10、基板微管密度（MPD）：標(biāo)準(zhǔn)
11、基板精加工：雙面拋光 Si 面 CMP
