拋光硅片

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公司名稱蘇州汶顥微流控技術(shù)股份有限公司
品牌
型號
所在地
廠商性質(zhì)其他
更新時間2022/11/4 15:18:19
訪問次數(shù)425

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蘇州汶顥微流控技術(shù)股份有限公司是一家留學人員回國創(chuàng)業(yè)的*企業(yè)，集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售為一體，技術(shù)力量雄厚，生產(chǎn)設(shè)備*，檢測手段齊全，產(chǎn)品質(zhì)量過硬。公司建立了完備的微流控芯片研發(fā)與生產(chǎn)中心，配置了三條微流控芯片生產(chǎn)線，包括數(shù)控CNC微加工儀器，軟刻蝕有機芯片加工系統(tǒng)，光刻-掩模無機芯片加工系統(tǒng)，可以加工生產(chǎn)所有材質(zhì)的芯片，如玻璃、石英、硅、PDMS和PMMA等。產(chǎn)品涵蓋集成式通用醫(yī)療診斷芯片、集成式通用環(huán)境保護分析監(jiān)測芯片、集成式通用食品安全分析檢測芯片和基于微流控芯片的新能源體系四大系列數(shù)十個品種，以及各類科研類芯片，并在生物芯片和化學芯片領(lǐng)域一直保持技術(shù)和研發(fā)的前沿地位，擁有102項知識產(chǎn)權(quán)，其中：已申請發(fā)明43件，已22件，實用新型51件，6項國家計算機軟件著作權(quán)，3項國家注冊商標，獲批*成品3項。蘇州汶顥微流控技術(shù)股份有限公司提供的產(chǎn)品和服務(wù)按市場可分為科研類芯片、儀器標配芯片、應(yīng)用類芯片及系統(tǒng)和芯片實驗室解決方案。科研類芯片服務(wù)于基于微流控芯片的科研工作者，提供包括聚二甲基硅氧烷（PDMS）、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、玻璃及硅基等各種不同材質(zhì)的微流控芯片的設(shè)計與制備，用戶只需配置必要的輔助設(shè)備即可使用；儀器標配芯片是針對國內(nèi)市場上微流控芯片儀器開發(fā)的標準芯片，為微流控芯片儀器的核心組件，屬耗材類產(chǎn)品，如毛細管電泳芯片；應(yīng)用類芯片及系統(tǒng)是利用微流控芯片的技術(shù)優(yōu)勢開發(fā)的分析檢測裝置，應(yīng)用于環(huán)保、食品安全、藥物篩選等領(lǐng)域；芯片實驗室解決方案為客戶提供完整的一對一的微流控芯片科研或應(yīng)用的解決方案，分為產(chǎn)品和科技咨詢兩個方面：產(chǎn)品包括微流控芯片加工、檢測儀器設(shè)備配置及微流控芯片配件配置；科技咨詢?yōu)榭蛻籼峁┙M建芯片實驗室的整體方案、解決微流控芯片應(yīng)用中的技術(shù)難題、微流控芯片項目研發(fā)服務(wù)等。按照現(xiàn)代公司制度規(guī)范運作企業(yè)是公司創(chuàng)辦伊始就秉承的基本理念，目前，公司的團隊結(jié)構(gòu)、人事制度、財務(wù)制度、知識產(chǎn)權(quán)制度等都已經(jīng)逐步形成和完善。公司的口號：高品質(zhì)、高信譽、高效率。公司的宗旨：以發(fā)明創(chuàng)新為龍頭，以科技成果轉(zhuǎn)化為手段，以微流控芯片領(lǐng)域為主戰(zhàn)場，走科研成果商品化，商品產(chǎn)業(yè)化，產(chǎn)業(yè)規(guī)模化和國際化的道路，以自主創(chuàng)新的核心技術(shù)為基礎(chǔ)的競爭戰(zhàn)略為企業(yè)長期發(fā)展戰(zhàn)略，整合產(chǎn)業(yè)鏈的各項優(yōu)勢資源，打造以自主創(chuàng)新為企業(yè)特色的產(chǎn)業(yè)價值鏈，塑造民族品牌，迎接國際化的挑戰(zhàn)。公司宗旨：以發(fā)明創(chuàng)新為龍頭，以科技成果轉(zhuǎn)化為手段，以微流控芯片領(lǐng)域為主戰(zhàn)場，走科研成果商品化，商品產(chǎn)業(yè)化，產(chǎn)業(yè)規(guī)?；蛧H化的道路。企業(yè)文化：誠信、踏實、優(yōu)質(zhì)！經(jīng)營理念：以人為本，精誠團結(jié)，誠信合作，多邊共贏。價值觀念：追求，勇于創(chuàng)新的企業(yè)形象；高效精干，自強不息的隊伍形象；求真務(wù)實，銳意進取的干部形象；外在唯美，內(nèi)在唯實的產(chǎn)品形象；嚴細認真，科學規(guī)范的管理形象；誠實守信，超越期望的服務(wù)形象。企業(yè)使命：產(chǎn)業(yè)報國、創(chuàng)造價值、服務(wù)社會、貢獻人類。企業(yè)愿景：做微流控芯片行業(yè)的！蘇州汶顥微流控技術(shù)股份有限公司以專長造福顧客和社會。并做到人無我有，人有我優(yōu)，人優(yōu)我特、人特我精。以市場為營運導(dǎo)向、以質(zhì)量為競爭前提、以人才為管理核心，持續(xù)雙贏，用心服務(wù)；以優(yōu)于國內(nèi)、國際標準的廠控標準，滿足顧客對產(chǎn)品實物質(zhì)量的期望和需求。力求把產(chǎn)品做到，以自主創(chuàng)新的核心技術(shù)為基礎(chǔ)的競爭戰(zhàn)略為企業(yè)長期發(fā)展戰(zhàn)略，整合產(chǎn)業(yè)鏈的各項優(yōu)勢資源，全心全意為生命科學服務(wù)！我們始終堅持：產(chǎn)品開發(fā)創(chuàng)新創(chuàng)先、質(zhì)量管理精益求精。我們也始終堅信：態(tài)度決定一切，細節(jié)決定成敗。

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產(chǎn)品簡介在線詢價

大小1英寸到4英寸不等，厚度0.2mm、0.4mm、1mm、1.2mm等不同厚度，單面拋光。

拋光硅片產(chǎn)品信息

拋光硅片簡介

大小1英寸到4英寸不等，厚度0.2mm、0.4mm、1mm、1.2mm等不同厚度，單面拋光。

拋光硅片參數(shù)及用途：

參數(shù)類型	Si技術(shù)指標
產(chǎn)品尺寸	1-4英寸
生長方法	直拉單晶（Cz）
表面拋光	單面拋光
直徑公差	100.2±0.3mm
摻雜類型	摻雜劑（磷或硼）
晶體取向	100 111
電阻率Ω	＜0.0015 Ω.cm 0.001-0.5Ω.cm 1-10Ω.cm
平整度TIR	＜3um
翹曲度TTV	＜10um
彎曲度BOW	＜10um
拋光粗糙度Ra	＜0.5nm
顆粒度Pewaferr	＜（for size＞0.3um）
厚度um	請咨詢
用途	用于微流控芯片光刻工藝模具、工藝等同步輻射樣品載體、LPCVD/PECVD鍍膜做襯底、磁控濺射生長樣品、XRD、SEM、AFM、紅外光譜熒光光譜等分析測試基底、分子束外延生長的基底、X射線分析晶體半導(dǎo)體等諸多科研用途。

可提供硅片的型號

尺寸	拋光	型號	晶向	電阻率Ω·cm	厚度微米
1	雙拋	P	100	1--20	100
1	雙拋	P	100	1--10	400
1	單拋	P	100	1--10	1950
1	單拋	P	100	<0.01	1000
1	單拋	P	100	<0.0015	400
直徑35mm	單拋	P	100	0-20	725
1	單拋	P	100	1--10	500
直徑40mm	單拋	P	100	<0.0015	1000
直徑40mm	研磨片	P	100	>2500	530

尺寸	拋光	型號	晶向	電阻率Ω·cm	厚度微米	尺寸	拋光	型號	晶向	電阻率Ω·cm	厚度微米
2	單拋	N	100	0.1-0.9	500	2	雙拋	P	110	1--10	450
2	單拋	N	100	<0.005	400	2	雙拋	P	100	20--50	380
2	單拋	N	100	1--10	200	2	雙拋	N	111	45-60	470
2	單拋	N	100	1--10	430	2	雙拋	N	100	1--10	480
2	單拋	N	100	1--10	350	2	雙拋	N	100	1--10	270
2	單拋	N	100	1--10	400	2	研磨片	N	100	1--10	540
2	單拋	N	100	1--10	100	2	本征研磨片	P	100	>2500	440
2	單拋	N	100	0.001-0.005	100	2	研磨片	P	110	1--10	450
2	單拋	N	100	1--10	300	2	研磨片	P	100	0.01-0.001	440
2	單拋	N	111	10--40	400	2	研磨片	P	100	0.01-0.05	540
2	單拋	N	100	1--10	500	2	本征單拋	50.8	100	>2500	400
2	單拋	P	110	1--10	400	2	本征單拋	50.8	111	>2500	500
2	單拋	P	100	<0.0015	1000	2	本征單拋	50.8	111	>1000	400
2	單拋	P	100	1--20	2000	2	本征單拋	50.8	100	>5000	1000
2	單拋	P	100	<0.01	2000	2	本征雙拋	50.8	100	>3000	370
2	單拋	P	100	0.001-0.005	3000	2	本征雙拋	50.8	111	>1000	460
2	單拋	P	100	0.01-0.05	3000	2	本征雙拋	50.8	100	>2000	2000
2	單拋	P	100	0.01-0.05	5000	2	本征雙拋	50.8	100	>2500	1000
2	單拋	P	100	10--30	300	2	本征雙拋	50.8	100	1000-4000	250
2	單拋	P	100	0.001-0.005	280	2	二氧化硅	P	100	1--20	200
2	單拋	P	100	0.01-0.05	300	2	二氧化硅	P	100	0.01-0.05	400
2	單拋	P	100	1--10	300	2	二氧化硅	P	100	0.01-0.05	400
2	單拋	P	100	10--15	250
2	單拋	P	100	0.01-0.05	500
2	單拋	P	100	1--10	500
2	單拋	P	100	0.01-0.05	500
2	單拋	P	100	0.01-0.05	200
2	單拋	P	100	0.01-0.05	400
2	單拋	P	100	1--10	400

尺寸	拋光	型號	晶向	電阻率Ω·cm	厚度微米
3	二氧化硅	P	100	0.001-0.005	400
3	單拋	N	111	10--25	450
3	單拋	N	100	>5	400
3	單拋	N	100	0.01-0.09	400
3	單拋	P	100	1--10	200
3	單拋	P	100	10--20	500
3	單拋	P	100	1--10	400
3	單拋	P	100	10--20	380
3	單拋	P	100	0.001-0.005	400
3	單拋	P	111	1--10	1000
3	雙拋	P	100	1--20	400
3	雙拋	N	100	1--10	100
3	研磨片	P	100	1--10	440
3	研磨片	N	100	0.021-0.026	440
3	研磨片	P	100	1--20	460

尺寸	拋光	型號	晶向	電阻率Ω·cm	厚度微米	尺寸	拋光	型號	晶向	電阻率Ω·cm	厚度微米	尺寸	拋光	型號晶向	規(guī)格	電阻率Ω·cm	硅片厚度	氧化層厚度/納米
4	單拋	N	100	0.1-0.9	500	4	雙拋	P	100	0.01-0.05	500	4	二氧化硅	P<100>	單氧	0.001-0.005	500	20nm
4	單拋	N	100	0.001-0.005	400	4	雙拋	P	100	10--20	500	4	二氧化硅	P<100>	單氧	1--10	500	50nm
4	單拋	N	100	0.001-0.005	500	4	雙拋	P	100	10--20	400	4	二氧化硅	P<100>	單氧	0.001-0.005	500	100nm
4	單拋	N	100	1--10	500	4	雙拋	P	100	10--20	300	4	二氧化硅	P<100>	雙氧	0.001-0.005	500	100nm
4	單拋	N	100	0.1-0.5	300	4	雙拋	P	100	1--10	200	4	二氧化硅	P<100>	雙氧	1--10	500	100nm
4	單拋	N	111	0.001-0.005	500	4	雙拋	P	100	1--5	250	4	二氧化硅	P<100>	單氧	1--10	500	200nm
4	單拋	N	111	10--25	500	4	雙拋	P	100	0.01-0.02	200	4	二氧化硅	P<100>	單氧	0.001-0.005	500	200nm
4	單拋	N	111	10-50	250	4	雙拋	P	100	<0.0015	3000	4	二氧化硅	P<100>	雙氧	1--10	500	200nm
4	單拋	N	111	10-50	300	4	雙拋	N	111	10--25	470	4	二氧化硅	P<100>	單氧	1--10	500	300nm
4	單拋	P	｛110｝	1--10	500	4	雙拋	N	100	0.1-0.9	200	4	二氧化硅	P<100>	雙氧	1--10	525	300nm
4	單拋	P	100	0.01-0.05	1000	4	雙拋	N	100	10--20	200	4	二氧化硅	P<100>	雙拋雙氧	10--30	525	300nm
4	單拋	P	100	5--30	1100	4	雙拋	N	100	1--10	200	4	二氧化硅	P<100>	雙氧	0.001-0.005	500	300nm
4	單拋	P	100	0.01-0.02	2000	4	研磨片	P	100	10--20	570	4	二氧化硅	P<100>	單氧	0.001-0.005	500	300nm
4	單拋	P	100	0.001-0.005	2000	4	本征研磨片	P	100	>4000	530	4	二氧化硅	N<100>	雙氧	0.002-0.004	500	300nm
4	單拋	P	100	<0.0015	3000	4	研磨片	N	111	10-50	530	4	二氧化硅	P<100>	雙氧	1--10	525	500nm
4	單拋	P	100	0.001-0.005	500	4	研磨片	N	111	10--25	300	4	二氧化硅	P<100>	單氧	1--10	525	500nm
4	單拋	P	100	0.01-0.05	500	4	研磨片	N	100	0.8	540	4	二氧化硅	P<100>	雙氧	1--10	500	1000nm
4	單拋	P	100	0.1-0.9	500	4	研磨片	N	100	1--10	540	4	二氧化硅	P<100>	雙氧	0.01-0.05	500	2000nm
4	單拋	P	100	0.01-0.02	200	4	單拋本征	100mm	100	>3000	1000	4	二氧化硅	P<100>	單氧	0.01-0.05	500	2000nm
4	單拋	P	100	1--10	200	4	單拋本征	100mm	100	>4000	200	4	本征+氧化	P<100>	雙氧	>4000	500	300nm
4	單拋	P	100	1--5	250	4	單拋本征	100mm	100	>2000	500
4	單拋	P	100	1--5	240	4	單拋本征	100mm	100	>4000	500
4	單拋	P	100	20--50	500	4	單拋本征	100mm	111	>4000	200
4	單拋	P	100	1--10	500	4	雙拋本征	100mm	100	>4000	300
4	單拋	P	111	8--13	400	4	雙拋本征	100mm	100	>4000	200
4	單拋	P	111	0.01-0.015	525	4	雙拋本征	100mm	100	>5000	500
4	單拋	P	111	0.01-0.015	450

尺寸	拋光	型號	晶向	電阻率Ω·cm	厚度微米
5	單拋	N	111	10-50	500
5	雙拋	N	111	37-55	470
5	研磨片	N	111	37-55	525
5	腐蝕片	N	111	30-100以上	370

尺寸	拋光	型號	晶向	電阻率Ω·cm	硅片厚度	氧化層厚度/納米	規(guī)格
6	二氧化硅	P	100	0.001-0.005	500	300nm	單氧
6	二氧化硅	P	100	0.001-0.005	500	300nm	雙氧
6	單拋	P	100	8--15	1000	200	145
6	單拋	P	100	<0.0015	1000	15	145
6	單拋	P	100	0--20	650	250	90
6	單拋	P	100	1--30	650	203	90
6	單拋	P	100	1--30	650	16	90
6	單拋	P	100	0.001-0.009	500	50	90
6	單拋	P	100	0.001-0.009	525	38	90
6	單拋	P	100	1--10	675	27	90
6	單拋	N	100	0.01-0.05	350	1	90
6	單拋	N	100	0.01-0.05	525	24	90
6	單拋	N	111	>10	1000	30	145
6	單拋	N	111	10--50	500	32	90
6	單拋	N	100	0.8-2	675	17	100
6	單拋	區(qū)熔本征	100	675-825	550	21	240
6	單拋	區(qū)熔本征	100	630-1200	625	10	240
6	雙拋	N	100	0.01-0.09	400	24	100
6	雙拋	P	100	20-30	400	3	100
6	雙拋	P	100	0--20	650	81	95