武漢華天電力專業(yè)生產(chǎn)局部放電測試儀（也稱為局部放電檢測裝置），下面為大家介紹高壓設備隔離中的局部放電。

局部放電（PD）是非常小的功率的火花放電，它在中壓和高壓設備中在絕緣內部或絕緣表面上形成。隨著時間的流逝，定期重復進行的局部放電會破壞絕緣層，最終導致絕緣層損壞。通常，在局部放電的影響下，絕緣層的破壞會持續(xù)數(shù)月甚至數(shù)年。因此，局部放電的記錄，對它們的功率和可重復性的評估，以及對它們的發(fā)生位置的定位，可以及時發(fā)現(xiàn)絕緣故障，并采取必要的措施來消除它們。

局部放電公式：

P是放電功率W

T是觀察時間，秒

m是在時間T內記錄的脈沖數(shù)，并且

Qi * Vi-第i個脈沖的能量

單次局部放電的主要參數(shù)

當然，基于PD脈沖的相位分布，如果脈沖的相位參考正確并且可以可靠地計算出功率，則可以計算出施加電壓的瞬時值。但是，并非所有設備都記錄脈沖的相位分布。如果在其中實現(xiàn)了此功能，則使用的PD傳感器會檢測到來自對象兩相或什至三相的脈沖。在這種情況下，應從哪個相位獲取什么電壓？為解決此問題，美國CR標準建議使用另一個診斷參數(shù)，該參數(shù)通常稱為PDI-“局部放電強度"。以此數(shù)量代替PD脈沖通過時的瞬時電壓，取其有效值，即對所有脈沖使用相同的電壓，而不是對每個脈沖使用個人電壓。通過進行比較計算，我們可以驗證在種情況和第二種情況下計算出的參數(shù)差異在20％以內。這足以正確評估水平并建立趨勢。PDI參數(shù)是用于評估受控對象中PD強度的主要參數(shù)之一。

單個局部放電的另外兩個參數(shù)非常重要，幾乎所有診斷設備的開發(fā)人員和該設備的實際用戶都可以操作這些參數(shù)。這是局部放電脈沖的頻率和持續(xù)時間。我們使用該圖定義這些參數(shù)的含義。

局部放電脈沖頻率。盡管該參數(shù)在物理上看起來很簡單，但它相對于局部放電的理論仍可能有所不同。該圖顯示，檢測到的脈沖的個前沿相當陡峭，但是在個值之后，信號已經(jīng)沿著一條平坦的曲線“下降"，該曲線不斷變化。在脈沖的最后，我們衰減了更高頻率的振蕩。

在這種情況下，對于局部放電脈沖的頻率，脈沖的開始，中間或結束應采取什么措施？顯然，這些參數(shù)可以相差很多倍，多次，如圖所示。

有必要簡要說明此過程的物理情況。最初，局部放電脈沖直接出現(xiàn)在缺陷區(qū)域中。此外，脈沖以電磁或電的方式傳播到周圍的體積，該周圍的體積也具有其自身的電磁性質，該電磁性質不同于缺陷區(qū)域的性質。該周圍區(qū)域的特性差異導致在所記錄的信號中出現(xiàn)具有不同諧振頻率的振蕩。最終，脈沖可能甚至在遠離發(fā)生位置的地方衰減，例如，這可能已經(jīng)在設備的結構元件中發(fā)生。這些介質的頻率特性也具有其自己的共振特性，最重要的是，它們與缺陷區(qū)的頻率特性沒有任何關系。

我們得出的結論是，只有與放電頻率特性最一致的前沿才與缺陷區(qū)域中局部放電脈沖的頻率直接相關。信號中的其他所有內容都與缺陷區(qū)域周圍介質的電磁特性有關。自脈沖時刻起經(jīng)過的時間越長，振蕩過程中所涉及的缺陷周圍的體積越大，可以在信號中“混合"更多的頻率。

只能通過脈沖前沿的參數(shù)地確定部分放電脈沖的真實頻率，該參數(shù)對應于數(shù)學表達式的使用：

根據(jù)該表達式，“部分放電脈沖的一個周期的持續(xù)時間"的值可以被定義為脈沖的前沿的持續(xù)時間乘以四。該定義不應與稱為“局部放電脈沖持續(xù)時間"的另一個參數(shù)混淆。我們將以不同的方式定義此參數(shù)。

總“局部放電脈沖持續(xù)時間"。局部放電脈沖的該參數(shù)的計算要簡單得多。為此，僅需確定時間矩，該時間矩應視為局部放電脈沖的結束。事實是，使用慢脈沖阻尼，在確定該參數(shù)時可能會有很大的隨意性。

的解決方案-可以將部分放電脈沖的幅度小于給定信號幅度的10％的那一刻視為完成。10％的限制是有條件的，可能是5％，但實際上最容易使用的恰好是10％。如果此參數(shù)的值較低，則過程的結束更加困難，因為它損失了噪聲。

因此，每個局部放電脈沖的特征在于三個參數(shù)：

“ Q"是視在電荷的大小，與脈沖的幅度定量成比例。

“ F"是局部放電脈沖頻率，與個脈沖前沿的持續(xù)時間在數(shù)量上成反比，乘以四。

“ T"是部分放電脈沖持續(xù)時間，由脈沖值的10％的電平確定。

高壓設備隔離中局部放電的原因

局部放電的出現(xiàn)是高壓絕緣中大多數(shù)缺陷形成的初期階段。隨著時間的流逝產(chǎn)生的局部放電會演變成火花放電和電弧放電，從而導致事故。

通常，局部放電會在具有缺陷的空腔和隔離區(qū)中發(fā)生-異物，氣泡和加濕區(qū)。

隨著電壓的升高，缺陷區(qū)域會發(fā)生一次或多次局部放電，從而導致絕緣區(qū)內的電勢重新分布。

如果缺陷更靠近絕緣體的外表面并達到較高的電勢，則在電源電壓的正半波處會有更多的局部放電，而在負電壓處會有更少的局部放電。

相反，如果缺陷更接近“地球"電勢，則在電源電壓的負半波處會有更多的放電。