我國(guó)是消費(fèi)電子產(chǎn)品的生產(chǎn)國(guó)、出口國(guó)和消費(fèi)國(guó)，在國(guó)家政策的扶持下，我國(guó)眾多電子企業(yè)紛紛開發(fā)硅晶圓研發(fā)新工藝，這也標(biāo)志著我國(guó)硅晶圓產(chǎn)業(yè)有望進(jìn)入黃金期。單晶硅是一種半導(dǎo)體材料，其導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間，主要應(yīng)用于太陽(yáng)能電池行業(yè)，是在現(xiàn)代電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)材料之一。但硅晶圓對(duì)純度要求*，因此對(duì)于水質(zhì)也有著超高的要求，超純水設(shè)備生產(chǎn)的水質(zhì)可滿足行業(yè)用水需求。

　　超純水設(shè)備一般采用預(yù)處理+反滲透+EDI(混床)組合形式，具有使用壽命長(zhǎng)、技術(shù)先進(jìn)、可自我保護(hù)、高效低耗能、運(yùn)行成本低，水利用率高、體較小、維修量小，運(yùn)行的時(shí)間長(zhǎng)久等優(yōu)勢(shì)從根本上提升出水水質(zhì)，并且延長(zhǎng)工作周期，幫助企業(yè)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的生產(chǎn)，其工藝流程如下：

　　原水進(jìn)入超純水系統(tǒng)后，主要部分流入膜元件內(nèi)，另一部分沿模板外側(cè)流動(dòng)，以洗去透出膜外的離子。接下來(lái)膜元件截留下水中的溶存離子，被截留的離子在電極作用下，陰離子向正極方向運(yùn)動(dòng)，陽(yáng)離子向負(fù)極方向運(yùn)動(dòng)。之后陽(yáng)離子透過(guò)陽(yáng)離子膜被排出，陰離子透過(guò)陰離子膜被排出，被濃縮的離子從廢水流路中排出，最后去離子水從膜內(nèi)流出。

　　單晶硅用超純水設(shè)備在長(zhǎng)時(shí)間工作后，如果不定期進(jìn)行維護(hù)，就很容易被污染，今天介紹這篇單晶硅用超純水設(shè)備的維護(hù)方法，建議您全文背誦。

　　1、將專用清洗液與純凈水在清洗藥箱內(nèi)混合。

　　2、用清洗泵低流量將清洗液以低流速、低壓力打至反滲透系統(tǒng)，并排走原水，防止清洗液稀釋。

　　3、保持設(shè)備溫度穩(wěn)定，用清洗泵將清洗液在系統(tǒng)中循環(huán)。

　　4、清洗液在設(shè)備內(nèi)浸泡一小時(shí)即可，污染較嚴(yán)重的反滲透膜可進(jìn)行更長(zhǎng)時(shí)間的浸泡清洗。

　　5、用清洗泵大流量打入清洗液30—60分鐘，使反滲透膜上被洗掉的污染物隨高流速水沖走。

　　6、用清水將清洗液沖去。設(shè)備沖洗后的清水需要保證pH6.5-7.5之間。

　　萊特萊德超純水設(shè)備采用曲線微導(dǎo)力技術(shù)，通過(guò)先進(jìn)的分離技術(shù)，將水中的離子與水分離。降低水中離子的含量，達(dá)到凈化水質(zhì)及降低水中離子的目的。結(jié)合預(yù)處理系統(tǒng)(Sanqcar)、加藥系統(tǒng)等前處理系統(tǒng)，可實(shí)現(xiàn)超純水的預(yù)脫鹽目的，其出水滿足芯片生產(chǎn)用水的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，降低企業(yè)生產(chǎn)的風(fēng)險(xiǎn)和成本。

　　萊特萊德超純水設(shè)備在設(shè)計(jì)上采用成熟、可靠、自動(dòng)化程度高的兩級(jí)RO+EDI+精混床除鹽水處理工藝，確保處理后出水電阻率達(dá)到18 MΩ.CM以上。設(shè)備內(nèi)部還安裝有反滲透預(yù)脫鹽技術(shù)，再次從根本上行保障了設(shè)備的出水水質(zhì)，與此同時(shí)，EDI處理裝置廢水產(chǎn)出量少，不會(huì)對(duì)環(huán)境造成污染，有非常高的環(huán)境效益、經(jīng)濟(jì)效益，其發(fā)展前景廣闊。