關(guān)于磁控濺射設(shè)備MSP-40T靶材分析
本設(shè)備是一種多用途、操作簡(jiǎn)便的磁控濺射薄膜沉積設(shè)備。這是一種小型桌面型設(shè)備,占用空間小,能夠利用強(qiáng)磁場(chǎng)形成各種金屬的薄膜。 由于涂層是在低電壓下進(jìn)行的并且樣品是浮動(dòng)的,因此可以將對(duì)樣品的損壞保持在低限度。 通過(guò)觸摸屏操作配備配方功能。我們已經(jīng)通過(guò)序列控制實(shí)現(xiàn)了全自動(dòng)濺射成膜。
該產(chǎn)品附帶設(shè)備本身和隔膜泵。需要?dú)鍤夂屠鋮s水循環(huán)設(shè)備,因此請(qǐng)檢查公用設(shè)施。
我們還可以為您準(zhǔn)備冷卻水循環(huán)系統(tǒng)。 該設(shè)備需要安裝和操作說(shuō)明。
關(guān)于 MSP-40T 基本實(shí)用程序 該設(shè)備需要?dú)鍤夂屠鋮s水循環(huán)系統(tǒng)來(lái)冷卻靶材。請(qǐng)?zhí)崆皺z查設(shè)施。
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關(guān)于Ar氣制備 關(guān)于氬氣的引入一些真空裝置要求或建議引入氬氣作為氣氛氣體??蛻魹闅怏w引入設(shè)備準(zhǔn)備的物品...
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關(guān)于水冷設(shè)備的準(zhǔn)備 關(guān)于設(shè)備的水冷卻裝置 有些真空裝置設(shè)備需要冷卻水循環(huán)器,是一種選擇。該裝置的連接標(biāo)準(zhǔn)為φ6mm接頭。關(guān)于可選項(xiàng)目...
關(guān)于MSP-40T靶材 除了器件本身之外,還需要目標(biāo)金屬。請(qǐng)單獨(dú)訂購(gòu)。 該設(shè)備標(biāo)配一個(gè)厚度為 3mm 的目標(biāo)支架。 對(duì)于不同厚度的靶金屬,需要對(duì)應(yīng)每種類型的靶支架。 使用貴金屬靶材時(shí),必須與削弱磁場(chǎng)力的鎳板結(jié)合安裝。 請(qǐng)務(wù)必了解使用現(xiàn)有目標(biāo)時(shí)的注意事項(xiàng)。
目標(biāo)金屬和目標(biāo)保持信息 [t=3mm] Al、Cu、Mo、Ti、Ta、W、SUS 等 [t=2mm] Cr、W、Co、Ge、Si、Zr 等 [t = 1mm] Fe、Ni、C、W、Mo、Ti、Cr、Ta、Zn 等 ITO(背板 t=1mm + ITO t=2mm) Pb (背板 t = 1mm + Pb t = 1mm) Sn (背板 t = 1mm + Sn t = 1mm) 貴金屬靶 t = 0.5mm (Au、Pt、Au-Pd、Pt-Pd、Ag、Pd) *對(duì)于貴金屬目標(biāo)需要一套磁場(chǎng)消除板。 *類型和厚度僅為示例。
*MSP-40T僅適用于導(dǎo)電金屬材料。 *對(duì)于絕緣體和氧化物的濺射,請(qǐng)考慮使用射頻濺射設(shè)備。
MSP-40T 可選零件清單 如果您想提出請(qǐng)求,請(qǐng)聯(lián)系我們的銷售辦事處。
目標(biāo)支架 [t=2mm 時(shí)]
目標(biāo)支架 [t=1mm 時(shí)]
貴金屬靶材磁場(chǎng)消除板
金屬靶
*有關(guān)各種金屬靶材的信息,請(qǐng)聯(lián)系我們。
MSP-40T 設(shè)備規(guī)格
物品 規(guī)格 電源 AC100V(單相100V)3芯插頭帶15A地線 設(shè)備尺寸 寬504mm,深486mm,高497mm (設(shè)備重量37.7kg) 隔膜泵 寬170mm,深287mm,高173mm (重6.5kg) 真空排氣系統(tǒng) 渦輪泵(TMP):67?/秒 (直接連接到設(shè)備內(nèi)置的腔室) 隔膜泵(DFP):20?/分鐘 (放置在設(shè)備外部,連接管,重量 6.5kg) 極限 真空測(cè)量 1x10-4Pa以下 全量程真空計(jì) 操作面板 觸摸屏操作顯示 最多可注冊(cè)20個(gè)配方 腔室尺寸 內(nèi)徑178mm,深度159mm不銹鋼腔體 樣品臺(tái)尺寸 直徑50mm(陽(yáng)極電極分離浮動(dòng)法) 電極-樣品臺(tái)距離 115mm、95mm、70mm (含不同高度樣品臺(tái)) 目標(biāo)金屬 ITO、Ti、W、Cr、Al、Ni、Fe、Ge、Zr、Mo、Cu、Ta、碳(使用磁場(chǎng)消除鎳板) 、Pt、Pt-Pd、Au、Au-Pd等貴金屬靶材, 鈀, 銀其他