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sanyu-electron各種濺射方法及相關(guān)運(yùn)用分析

時(shí)間:2024/12/24閱讀:314
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sanyu-electron各種濺射方法及相關(guān)運(yùn)用分析

濺射原理

它是一種將薄膜附著到物質(zhì)上的方法,與電鍍不同,它是在真空中進(jìn)行的,不使用化學(xué)品。 (在半導(dǎo)體制造中,濕法工藝稱(chēng)為干法工藝。)

  1. 將待涂覆的樣品和薄膜的原材料(目標(biāo))放在附近。

  2. 整體處于真空狀態(tài),樣品與靶材之間施加電壓。

  3. 電子和離子高速運(yùn)動(dòng),離子與目標(biāo)碰撞。高速運(yùn)動(dòng)的電子和離子與氣體分子碰撞,撞擊分子的電子并變成離子。

  4. 與目標(biāo)碰撞的離子會(huì)排斥目標(biāo)粒子。 (濺射現(xiàn)象)

  5. 被排斥的原料顆粒碰撞并粘附在樣品上,形成薄膜。

各種濺射方法

介紹的原理是DC濺射,但已經(jīng)設(shè)計(jì)出各種方法來(lái)彌補(bǔ)其缺點(diǎn)。以下濺射方法是典型的。

  1. 直流濺射 – 在兩個(gè)電極之間施加直流電壓的方法

  2. 射頻濺射 – 施加交流電的方法(高頻)

  3. 磁控濺射 – 一種通過(guò)在靶側(cè)使用磁鐵產(chǎn)生磁場(chǎng)來(lái)從樣品中分離等離子體的方法。

  4. 離子束濺射——一種在遠(yuǎn)離目標(biāo)或樣品的位置產(chǎn)生離子并加速并施加到目標(biāo)的方法。

其他方法包括面向目標(biāo)、ECR(電子回旋加速器)和半導(dǎo)體制造中使用的準(zhǔn)直以及長(zhǎng)距離方法。此外,通過(guò)改變靶的形狀和磁體的布置,磁控管方法已經(jīng)開(kāi)發(fā)出各種方法。

直流濺射

這是第一個(gè)設(shè)計(jì)的濺射方法。盡管DC濺射具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單等許多優(yōu)點(diǎn),但它具有以下問(wèn)題。

  1. 需要產(chǎn)生輝光放電,而且器件內(nèi)部真空度比較低,因此存在殘余氣體的影響。具體地,膜與氣體反應(yīng),或者氣體被捕獲在膜內(nèi)。

  2. 氣體在等離子體狀態(tài)下分離成離子和電子,樣品也暴露在高溫等離子體中。由于溫度上升等原因可能會(huì)造成損壞。

  3. 如果原材料(靶材)是絕緣體,離子就會(huì)積聚在表面,放電就會(huì)停止。

射頻濺射

一種向絕緣目標(biāo)施加交流電(高頻)的方法。

  1. 將目標(biāo)和樣品靠近放置。

  2. 將高頻電壓施加到真空室和靶材上。

  3. 由于它是交流電,因此粒子加速的方向根據(jù)電壓而變化。

  4. 由于電子比離子更輕且更容易移動(dòng),因此到達(dá)導(dǎo)電室的電子流入電路。

  5. 靶側(cè)的電子無(wú)處逃逸,變得更加密集。

  6. 結(jié)果,靶材側(cè)產(chǎn)生負(fù)偏壓,離子被吸引到靶材上并可以濺射。

磁控濺射

這是一種減少直流濺射中等離子體影響的方法。由于等離子體被限制在目標(biāo)附近,因此濺射速度也更快。

  1. 將背面帶有磁鐵的目標(biāo)放置在靠近樣品的位置。

  2. 通過(guò)施加電壓來(lái)進(jìn)行濺射。

  3. 磁場(chǎng)使電子沿著磁場(chǎng)線(xiàn)螺旋移動(dòng)。

  4. 等離子體在電子周?chē)a(chǎn)生,可以集中濺射。

特征

即使在高頻下也可使用 / 樣品附近不會(huì)產(chǎn)生等離子體,不會(huì)造成損壞 / 飛濺量大

缺點(diǎn)

目標(biāo)數(shù)量減少的方式存在不均勻性。

離子束濺射

在列出的四種方法中,這是不使用放電的方法。

從離子槍?zhuān)▽?duì)離子發(fā)生器產(chǎn)生的離子進(jìn)行加速并釋放的裝置)釋放的離子照射到目標(biāo)上并飛濺。 DC濺射受到等離子體中的離子和電子等各種粒子的影響,但它是一種僅使用您想要用于濺射的離子的方法。向離子槍供應(yīng)惰性氣體以連續(xù)產(chǎn)生離子。 (將原材料本身電離并直接用樣品轟擊它稱(chēng)為離子鍍。)

特征

由于不需要通過(guò)放電產(chǎn)生等離子體,因此即使在高真空(無(wú)雜質(zhì)混入)下也可以/離子源是獨(dú)立的,因此易于設(shè)定條件/不依賴(lài)于目標(biāo)的導(dǎo)電率

缺點(diǎn)

設(shè)備復(fù)雜、昂貴/成膜速度不快

濺射設(shè)備配置

根據(jù)方法的不同,它們也有所不同,但除了離子束濺射之外,它們幾乎是相同的。

  1. 真空室(氣體入口、樣品出口[快速鍍膜機(jī)采用前門(mén),方便操作])

  2. 排氣裝置(旋轉(zhuǎn)泵:放電時(shí)不需要高真空)

  3. 樣品臺(tái)(在三宇電子,經(jīng)常取出和放入的樣品臺(tái)位于底部。)

  4. 目標(biāo)安裝支架

  5. 電源(高頻、高壓電源等)

  6. 控制裝置

快速涂布機(jī)SC系列結(jié)合了上述要素,只需連接主體和泵即可使用。

濺射的使用方法

隨著射頻濺射等技術(shù)的發(fā)展,現(xiàn)在不僅可以形成金屬,還可以形成多種材料的薄膜,并且現(xiàn)在得到了廣泛的應(yīng)用。

  • 磁盤(pán)(垂直磁記錄介質(zhì)的產(chǎn)生)

  • CD/DVD(記錄面金屬膜)

  • 半導(dǎo)體(電路生成、存儲(chǔ)器[鐵電薄膜]、各種傳感器)

  • 磁頭(用于高密度記錄硬盤(pán);最新磁頭采用多層薄膜)

  • 噴墨打印機(jī)頭

  • 液晶顯示裝置(透明電極的生成)

  • 有機(jī)EL顯示裝置(透明電極的產(chǎn)生)

  • 高亮度LED

  • 電子顯微鏡樣品的制備(導(dǎo)電膜抗靜電)

  • 光催化薄膜

  • 分析(識(shí)別表面上濺射而不是成膜的材料。)

  • 納米機(jī)器(形狀記憶合金薄膜)

  • 在塑料、玻璃等上生成電磁屏蔽膜。

用于生產(chǎn)導(dǎo)電薄膜的緊湊型濺射設(shè)備
臺(tái)式快速鍍膜機(jī) SC 系列

您可以使用這款緊湊且易于使用的設(shè)備輕松創(chuàng)建各種金屬的薄膜。
SEM/TEM等的前處理請(qǐng)點(diǎn)擊
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SC-701MkⅡ高級(jí)

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SC-701MkⅡ

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SC-701HMCⅡ

磁控管型適合生產(chǎn)W/Ti/Cr等薄膜。微電腦控制/自動(dòng)快門(mén)標(biāo)準(zhǔn)配備。

SC-708系列

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