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產(chǎn)品名稱：EC-80
測量范圍
[電阻] 1m至200Ω·cm
（*所有探頭類型的總范圍/厚度500um）
[抗頁電阻] 10m至3kΩ / sq
（*所有探頭類型的總范圍）
*有關(guān)每種探頭類型的測量范圍，請參閱以下內(nèi)容。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至
0.05Ω- cm）（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ））高：10至1000Ω/□（0.5至60Ω-??cm）
（4）S-高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）
產(chǎn)品名稱：EC-80P（便攜式）
測量范圍
[電阻] 1m至200Ω·cm
（*所有探頭類型的總范圍/厚度500um）
[板電阻] 10m至3kΩ / sq
（*所有探頭類型的總范圍）
*有關(guān)每種探頭類型的測量范圍，請參閱以下內(nèi)容。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至
0.05Ω- cm）（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ））高：10至1000Ω/□（0.5至60Ω-??cm）
（4）S-高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）
（5）太陽能晶片：5至500Ω/□（0。 2至15Ω-cm）
產(chǎn)品名稱：NC-10（NC-20）
測量范圍
[電阻] 1m至200Ω·cm
（*所有探頭類型的總范圍/厚度500um）
[板電阻] 10m至3kΩ / sq
（*所有探頭類型的總范圍）
*有關(guān)每種探頭類型的測量范圍，請參閱以下內(nèi)容。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至
0.05Ω- cm）（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ））高：10至1000Ω/□（0.5至60Ω-??cm）
（4）S-高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）
產(chǎn)品名稱：DUORES
測量目標
半導體/太陽能電池材料相關(guān)（硅，多晶硅，SiC等）
新材料/功能材料相關(guān)（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
導電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
硅基外延，離子與
半導體相關(guān)的進樣樣品化合物（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
薄膜，玻璃，紙材料等
通常，可以在測量范圍內(nèi)測量任何樣品。
•薄膜材料（ITO，TCO等）
•低電子玻璃
•碳納米管，石墨烯材料
•金屬材料（納米線，網(wǎng)格，網(wǎng)眼）
•其他
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