帶漏電保護(hù)防爆配電箱圖片實(shí)物
　　2、先卸下接線腔上的固定螺釘，拔出接線盒的接線部分;從包裝盒內(nèi)取出密封圈和接頭（帶緊定螺釘），依次套入電纜;然后將三芯電纜線的一端分別接入盒內(nèi)的標(biāo)識(shí)“L”、“N”和接地處，用壓線卡壓緊電纜后，并用緊固螺釘固定好，然后擰緊接頭，壓緊密封圈，并從側(cè)面擰緊緊定螺釘
產(chǎn)品特點(diǎn)1． 本產(chǎn)品外殼采用鋁合金壓鑄成型，表面經(jīng)高速拋丸后粉末靜電噴塑，外形美觀；2．本產(chǎn)品為復(fù)合型防爆結(jié)構(gòu)，開關(guān)箱采用隔爆型結(jié)構(gòu)，母線箱及接線箱采用增安型結(jié)構(gòu)；3．采用模塊化設(shè)計(jì)，各種回路可以自由組合；4．內(nèi)裝高分?jǐn)嘈⌒吐╇姅嗦菲骰蛩軞な铰╇姅嗦菲?，通過操作防爆客體外的手柄而實(shí)現(xiàn)分合；5． 本產(chǎn)品推出新型優(yōu)化的設(shè)計(jì)方案及操作機(jī)構(gòu)，結(jié)構(gòu)緊湊合理、通用性強(qiáng)、操作靈活方便、手感好；6．具有過載、短路、缺相、漏電保護(hù)功能；7．所有緊固件均采用抗強(qiáng)腐蝕的304不銹鋼材質(zhì)；8．布線方式，鋼管或電纜、防爆軟管均可；9．可根據(jù)用戶要求特殊定制；
T5
防爆等級，防爆標(biāo)志有很多樣可供選擇

但通過熱像儀，我們可以準(zhǔn)確看到佛像左小手臂下方有明顯的裂縫存在。這其中的原理是，裂縫中存在空氣對流的情況，導(dǎo)致裂紋處的表面溫度與佛像本體的溫度存在溫差。熱像儀將溫度場分布通過圖像的形式來表達(dá)，所以在紅外圖中可以直觀看到，但在可見光中無法看到該裂縫。受潮檢測佛像底座受潮檢測，針對霉變隱患處進(jìn)行防霉除霉處理。由于佛像依山開鑿，山體中的毛細(xì)水沿著山勢經(jīng)年累月緩慢地浸入佛像底座。佛像中濕度大的區(qū)域與干燥的區(qū)域，存在細(xì)微溫差。

帶漏電保護(hù)防爆配電箱圖片實(shí)物
內(nèi)部的接線原理跟普通型類似，區(qū)別就是外殼是防爆的
660V；3.總開關(guān)電流：10A800A；分開關(guān)電流：1A630A；4.防護(hù)等級：IP54
LED日光燈電源發(fā)熱到一定程度會(huì)導(dǎo)致燒壞，關(guān)于這個(gè)問題，也見到過有人在行業(yè)論壇發(fā)過貼討論過。本文將從芯片發(fā)熱、功率管發(fā)熱、工作頻率降頻、電感或者變壓器的選擇、LED電流大小等方面討論LED日光燈電源發(fā)熱燒壞MOS管技術(shù)。芯片發(fā)熱本次內(nèi)容主要針對內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動(dòng)芯片。假如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W，當(dāng)然會(huì)引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動(dòng)芯片的電流來自于驅(qū)動(dòng)功率MOS管的消耗，簡單的計(jì)算公式為I=cvf（考慮充電的電阻效益，實(shí)際I=2cvf，其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導(dǎo)通時(shí)的gate電壓，所以為了降低芯片的功耗，必須想辦法降低v和f.如果v和f不能改變，那么請想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入額外的功耗。
適用于T1-T6組溫度級別
660V；3.總開關(guān)電流：10A800A；分開關(guān)電流：1A630A；4.防護(hù)等級：IP54
為此，在實(shí)驗(yàn)中可將其中一根探頭的地線取下，只使用其中一根地線。當(dāng)需要同時(shí)觀察兩個(gè)信號時(shí)，必須在電路上找到這兩個(gè)被測信號的公共點(diǎn)，將探頭的地線接上，兩個(gè)探頭各接至信號處，即能在示波器上同時(shí)觀察到兩個(gè)信號，而不致發(fā)生意外。當(dāng)然，這是指你的系統(tǒng)中有別的設(shè)備，而這些設(shè)備的地線和示波器一樣都接在了安全地。對于自制的系統(tǒng)，電源也是自制的而不是那種的電源儀器，則會(huì)有兩種情況：變壓器用的是隔離變壓器，就是有兩個(gè)繞組的那種，那樣的話如果你的系統(tǒng)或者是板子也沒有接安全地，則不會(huì)出現(xiàn)上述情況，可以測量兩點(diǎn)間信號，但是兩個(gè)探頭一起用時(shí)還是只能接一個(gè)地線的夾子。