Mapping面掃臺(tái)允許使用受控的網(wǎng)格模式來(lái)探索整個(gè)樣品表面。Omega/Theta XRD可以很容易地在轉(zhuǎn)盤(pán)頂部容納額外的XY定位平臺(tái)。樣品表面可以根據(jù)用戶(hù)定義的網(wǎng)格進(jìn)行掃描。由于樣品上X射線光斑的大小，小的網(wǎng)格間距約為1毫米。

詳細(xì)介紹

自動(dòng)Mapping面掃功能

繪圖階段可以與Omega掃描結(jié)合起來(lái)，以獲得晶體方向圖，或與搖擺曲線測(cè)量結(jié)合起來(lái)，以獲得表面的扭曲圖。可提供用于顯示和分析的軟件包。

晶體的Mapping面掃功能是診斷晶體生長(zhǎng)過(guò)程中和制造過(guò)程中出現(xiàn)的質(zhì)量問(wèn)題的一個(gè)寶貴工具

即使在單晶中，晶體取向也可以在表面上表現(xiàn)出微小的變化，這是由晶格缺陷引起的內(nèi)部應(yīng)變?cè)斐傻摹Ｓ行蛏L(zhǎng)的薄膜也可以有一個(gè)有趣的面內(nèi)取向分布。

繪制一個(gè)表面需要大量的測(cè)量。在這里，歐米茄掃描方法可以提供其速度方面的優(yōu)勢(shì)。圖中顯示的是在一個(gè)（Si，Ge）固溶體晶片上測(cè)量的取向圖。較大的方向差是0.03°。同心圓是按照晶體的生長(zhǎng)環(huán)進(jìn)行的。

以上信息由企業(yè)自行提供，信息內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由相關(guān)企業(yè)負(fù)責(zé)，環(huán)保在線對(duì)此不承擔(dān)任何保證責(zé)任。溫馨提示：為規(guī)避購(gòu)買(mǎi)風(fēng)險(xiǎn)，建議您在購(gòu)買(mǎi)產(chǎn)品前務(wù)必確認(rèn)供應(yīng)商資質(zhì)及產(chǎn)品質(zhì)量。

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