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308晶振正規(guī)代理 無(wú)源晶振廠家 深圳晶振

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詳細(xì)介紹

  晶體振蕩器實(shí)際應(yīng)用的環(huán)境需要慎重考慮。例如,高強(qiáng)度的振動(dòng)或沖擊會(huì)給振蕩器帶來(lái)問(wèn)題。除了可能產(chǎn)生物理?yè)p壞,振動(dòng)或沖擊可在某些頻率下引起錯(cuò)誤的動(dòng)作。這些外部感應(yīng)的擾動(dòng)會(huì)產(chǎn)生頻率跳動(dòng)、增加噪聲份量以及間歇性振蕩器失效。對(duì)于要求特殊EMI兼容的應(yīng)用,EMI是另一個(gè)要優(yōu)先考慮的問(wèn)題。除了采用合適的PC母板布局技術(shù),重要的是選擇可提供輻射量小的時(shí)鐘振蕩器。一般來(lái)說(shuō),具有較慢上升/下降時(shí)間的振蕩器呈現(xiàn)較好的EMI特性。

  恒溫晶體振蕩器簡(jiǎn)稱(chēng)恒溫晶振,英文簡(jiǎn)稱(chēng)為OCXO(Oven Controlled Crystal Oscillator)。詳解恒溫晶振的調(diào)試:

  1)每一個(gè)單獨(dú)指標(biāo)必須單獨(dú)測(cè)試,不能同時(shí)測(cè)試幾種指標(biāo),也不能同時(shí)測(cè)試幾只晶振。

  2)測(cè)試時(shí)要嚴(yán)格按照標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試電路和測(cè)試環(huán)境進(jìn)行測(cè)試。

  3)在沒(méi)有相當(dāng)?shù)臏y(cè)試設(shè)備和測(cè)試人員的情況下,不建議客戶(hù)自行測(cè)試晶振,更不能隨意調(diào)試晶振,測(cè)試設(shè)備的等級(jí)應(yīng)至少比晶振指標(biāo)高一個(gè)數(shù)量級(jí)。

  4)對(duì)不同廠家的產(chǎn)品,尤其是來(lái)自不同國(guó)家的產(chǎn)品,有一些指標(biāo)的測(cè)試方法不盡相同,應(yīng)提前了解各廠家的異同點(diǎn),統(tǒng)一意見(jiàn),以減少不必要的麻煩。

  5)對(duì)一些短期指標(biāo)如頻率精度,開(kāi)機(jī)特性等,應(yīng)多做幾次重復(fù)的測(cè)試,以減少測(cè)試結(jié)果的偶然性。

  一般的晶振振蕩電路都是在一個(gè)反相放大器(注意是放大器不是反相器)的兩端接入晶振,再有兩個(gè)電容分別接到晶振的兩端,每個(gè)電容的另一端再接到地,這兩個(gè)電容串聯(lián)的容量值就應(yīng)該等于負(fù)載電容,請(qǐng)注意一般IC的引腳都有等效輸入電容,這個(gè)不能忽略。

  晶振在電氣上可以等效成一個(gè)電容和一個(gè)電阻并聯(lián)再串聯(lián)一個(gè)電容的二端網(wǎng)絡(luò),電工學(xué)上這個(gè)網(wǎng)絡(luò)有兩個(gè)諧振點(diǎn),以頻率的高低分其中較低的頻率為串聯(lián)諧振,較高的頻率為并聯(lián)諧振。由于晶體自身的特性致使這兩個(gè)頻率的距離相當(dāng)?shù)慕咏?,在這個(gè)極窄的頻率范圍內(nèi),晶振等效為一個(gè)電感,所以只要晶振的兩端并聯(lián)上合適的電容它就會(huì)組成并聯(lián)諧振電路。這個(gè)并聯(lián)諧振電路加到一個(gè)負(fù)反饋電路中就可以構(gòu)成正弦波振蕩電路,由于晶振等效為電感的頻率范圍很窄,所以即使其他元件的參數(shù)變化很大,這個(gè)振蕩器的頻率也不會(huì)有很大的變化。晶振有一個(gè)重要的參數(shù),那就是負(fù)載電容值,選擇與負(fù)載電容值相等的并聯(lián)電容,就可以得到晶振標(biāo)稱(chēng)的諧振頻率。一般的晶振振蕩電路都是在一個(gè)反相放大器(注意是放大器不是反相器)的兩端接入晶振,再有兩個(gè)電容分別接到晶振的兩端,每個(gè)電容的另一端再接到地,這兩個(gè)電容串聯(lián)的容量值就應(yīng)該等于負(fù)載電容,請(qǐng)注意一般IC的引腳都有等效輸入電容,這個(gè)不能忽略。一般的晶振的負(fù)載電容為15p或12.5p,如果再考慮元件引腳的等效輸入電容,則兩個(gè)22p的電容構(gòu)成晶振的振蕩電路就是比較好的選擇。

關(guān)鍵詞:晶體振蕩器 振蕩器
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