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西安長禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
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更新時(shí)間：2025-05-19 11:07:39瀏覽次數(shù)：91次
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功率器件參數(shù)驗(yàn)證與二次篩選測試：保障器件性能穩(wěn)定，助力客戶優(yōu)化供應(yīng)鏈質(zhì)量控制。
車規(guī)級(jí)元器件檢測：針對(duì)新能源汽車領(lǐng)域，提供符合嚴(yán)苛車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的功率器件篩選與可靠性驗(yàn)證，助力行業(yè)客戶突破核心技術(shù)。
環(huán)境與老化實(shí)驗(yàn)：模擬復(fù)雜環(huán)境下器件工作狀態(tài)，確保產(chǎn)品在復(fù)雜工況中長期可靠運(yùn)行。
失效分析及可靠性評(píng)估：快速精準(zhǔn)定位元器件失效根因，為產(chǎn)品改進(jìn)和技術(shù)迭代提供有力支撐。
汽車電子SiC.MOS動(dòng)靜態(tài)測試服務(wù)
汽車電子SiC.MOS動(dòng)靜態(tài)測試服務(wù)
西安長禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司（簡稱“長禾實(shí)驗(yàn)室"），位于中國西部科技創(chuàng)新高地——西安市，專注于功率半導(dǎo)體器件檢測與驗(yàn)證。
作為國家認(rèn)可委員會(huì)（CNAS）正式認(rèn)證的大功率器件測試服務(wù)中心，長禾實(shí)驗(yàn)室嚴(yán)格遵循國際標(biāo)準(zhǔn)，致力于為國內(nèi)外客戶提供一站式專業(yè)測試服務(wù)。實(shí)驗(yàn)室配備功率半導(dǎo)體測試設(shè)備和自動(dòng)化測試平臺(tái)，全面覆蓋IGBT、MOSFET、二極管、晶閘管等核心功率器件的參數(shù)驗(yàn)證、可靠性評(píng)估和失效分析。憑借技術(shù)實(shí)力和創(chuàng)新能力，已成長為國內(nèi)少數(shù)具備全鏈條功率器件測試、篩選及老化服務(wù)的機(jī)構(gòu)之一。業(yè)務(wù)涵蓋了軌道交通、新能源發(fā)電（風(fēng)電、光伏）、新能源汽車、國防、工業(yè)控制、科研機(jī)構(gòu)等多個(gè)領(lǐng)域，為中國核心產(chǎn)業(yè)鏈提供堅(jiān)實(shí)的技術(shù)保障。
完善的基礎(chǔ)設(shè)施和優(yōu)秀團(tuán)隊(duì)一直是實(shí)驗(yàn)室強(qiáng)化的重點(diǎn)，實(shí)驗(yàn)室核心團(tuán)隊(duì)研究生占比70%以上，具備深厚的學(xué)術(shù)背景和豐富的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)。在質(zhì)量控制方面，實(shí)驗(yàn)室建立了完善的質(zhì)量管理體系，嚴(yán)格執(zhí)行實(shí)驗(yàn)室管理標(biāo)準(zhǔn)。每個(gè)測試項(xiàng)目均建立了詳細(xì)的作業(yè)指導(dǎo)書，確保測試過程的標(biāo)準(zhǔn)化和可追溯性，數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性和可靠性。
長禾實(shí)驗(yàn)室秉持“嚴(yán)謹(jǐn)求實(shí)、精益求精"的企業(yè)精神，致力于推動(dòng)中國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的高質(zhì)量發(fā)展，助力打造具備競爭力的半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)。未來，長禾實(shí)驗(yàn)室將繼續(xù)發(fā)揮技術(shù)和資源優(yōu)勢，立足西安，努力成長為優(yōu)秀功率半導(dǎo)體測試與驗(yàn)證服務(wù)平臺(tái)，助力中國“芯"騰飛。
分立器件靜態(tài)參數(shù)測試（DC）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、
GB/T 29332-2012、GJB128B-2021
試驗(yàn)對(duì)象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件；
檢測能力：檢測電壓：2000V 檢測電流：200A；
試驗(yàn)參數(shù)：
漏電參數(shù)：IR、ICBO、ICEO、IDSS、IDOFF、IDRM、 IRRM、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、 IGSSR；
擊穿參數(shù)：BVCEO、BVCES、BVDSS、BVCBO、VDRM、 VRRM、BVR、BVZ、BVEBO、BVGSS；
導(dǎo)通參數(shù)：VCESAT、VBESAT、VBEON、VF、VGSTH、VGETH、VTM；
關(guān)斷參數(shù)：VGSOFF
觸發(fā)參數(shù)：IGT、VGT
保持參數(shù)：IH、IH+、IH-
鎖定參數(shù)：IL、IL+、IL-
混合參數(shù)：RDSON、GFS
I-V曲線掃描
ID vs.VDS at range of VGS
ID vs.VGS at fixed VDS
IS vs.VSD
RDS vs.VGS at fixed ID
RDS vs.ID at several VGS
IDSS vs.VDS
HFE vs.IC
BVCE（O,S,R,V） vs.IC
BVEBO vs.IE
BVCBO vs.IC
VCE（SAT） vs.IC
VBE（SAT） vs.IC
VBE（ON） vs.IC （use VBE test）
VCE（SAT） vs.IB at a range of ICVF vs. IF
功率模塊靜態(tài)參數(shù)測試（DC）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、
GB/T 29332-2012；
試驗(yàn)對(duì)象：DIODE、IGBT、MOSFET、SCR、整流橋等功率；
試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測 電壓：7000V，檢測 電流：5000A
試驗(yàn)參數(shù)：
漏電參數(shù)：IR、ICBO、ICEO、IDSS、IDOFF、IDRM、 IRRM、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、 IGSSR；
擊穿參數(shù)：BVCEO、BVCES、BVDSS、BVCBO、VDRM、 VRRM、BVR、BVZ、BVEBO、BVGSS；
導(dǎo)通參數(shù)：VCESAT、VBESAT、VBEON、VF、VGSTH、VGETH、VTM；
關(guān)斷參數(shù)：VGSOFF
觸發(fā)參數(shù)：IGT、VGT
保持參數(shù)：IH、IH+、IH-
鎖定參數(shù)：IL、IL+、IL-
混合參數(shù)：RDSON、GFS
開關(guān)特性測試（Switch）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、
GB/T 29332-2012；
試驗(yàn)對(duì)象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模塊；
試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測 電壓：4500V 檢測 電流：5000A
試驗(yàn)參數(shù)：開通/關(guān)斷時(shí)間ton/toff、上升/下降時(shí)間tr/tf、開通/關(guān)斷延遲時(shí)間td(on)/td(off)、開通/關(guān)斷損耗Eon/Eoff、電流尖峰Ic-peak max、電壓尖峰Vce-peak max、電壓變化率dv/dt、電流變化率di/dt；
反向恢復(fù)測試（Qrr）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、
GB/T 29332-2012；
試驗(yàn)對(duì)象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模塊；
試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測 電壓：4500V 檢測 電流：5000A
試驗(yàn)參數(shù)：反向恢復(fù)電荷Qrr、反向恢復(fù)電流Irm、反向恢復(fù)時(shí)間Trr、反向恢復(fù)電流變化率diF/dt、反向恢復(fù)損耗Erec；
柵極電荷（Qg）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、
GB/T 29332-2012；
試驗(yàn)對(duì)象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模塊；；
試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測 電壓：4500V 檢測 電流：5000A
試驗(yàn)參數(shù)：柵極電荷Qg、漏極電荷Qgs、源極電荷Qgd；
短路耐量（SCSOA）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、
GB/T 29332-2012；
試驗(yàn)對(duì)象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及IGBT模塊器件；
試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測 電壓：4500V 檢測 電流：10000A
試驗(yàn)參數(shù)：短路電流Isc、短路時(shí)間Tsc、短路能量Esc；
結(jié)電容（Cg）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、
GB/T 29332-2012；
試驗(yàn)對(duì)象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模塊；
試驗(yàn)?zāi)芰Γ侯l率：0.1-1MHz、檢測 電壓：1500V；
試驗(yàn)參數(shù)：輸入電容Ciss、輸出電容Coss、反向傳輸電容Cres；
C-V曲線掃描
輸入電容Ciss-V；
輸出電容Coss-V；
反向傳輸電容Cres-V；
柵極電阻（Rg）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、
GB/T 29332-2012；
試驗(yàn)對(duì)象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及IGBT模塊器件；
試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測 電壓：1500V；
試驗(yàn)參數(shù)：柵極等效電阻Rg
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