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西安長(zhǎng)禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
長(zhǎng)禾CNAS
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1 99元 999件可售
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更新時(shí)間:2025-05-19 11:02:27瀏覽次數(shù):300次
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瞬態(tài)熱阻測(cè)試-功率老化
西安長(zhǎng)禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司(簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室"),作為CNAS功率器件測(cè)試服務(wù)中心,嚴(yán)格遵循國(guó)際標(biāo)準(zhǔn),為國(guó)內(nèi)外客戶提供一站式的專業(yè)測(cè)試服務(wù)。實(shí)驗(yàn)室全面覆蓋IGBT、MOSFET、二極管、晶閘管等核心功率器件的參數(shù)驗(yàn)證、可靠性評(píng)估和失效分析。
瞬態(tài)熱阻測(cè)試-功率老化-第三方檢測(cè)中心
高溫反偏試驗(yàn)(HTRB)
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJED-4701100、AEC-Q101, 。
試驗(yàn)對(duì)象:DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊;
試驗(yàn)?zāi)芰Γ簻囟? 150℃;電壓 5000V;
高溫柵偏試驗(yàn)(HTGB)
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、
EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 。
試驗(yàn)對(duì)象:MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊;
試驗(yàn)?zāi)芰Γ簻囟? 150℃;電壓 100V;
高溫高濕反偏試驗(yàn)(H3TRB)
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、
EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 。
試驗(yàn)對(duì)象:DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊;
試驗(yàn)?zāi)芰Γ簻囟?5℃,濕度范圍:25%~95%,電壓 4500V;
功率老煉測(cè)試
試驗(yàn)對(duì)象:IGBT、TVS、壓敏電阻VDR;
試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測(cè) 電壓:4500V,檢測(cè) 電流:200A
間歇壽命試驗(yàn)(IOL)
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):GJB128、MIL-STD-750、 ;
試驗(yàn)對(duì)象:DIODE、BJT、MOSFET、IGBT及SiC器件等分立器件;
檢測(cè)能力:ΔTj≧100℃ 電壓 60V,電流 50A。
功率循環(huán)試驗(yàn)(PC)
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):GJB128、MIL-STD-750、 ;
試驗(yàn)對(duì)象:IGBT模塊;
檢測(cè)能力:ΔTj=100℃,電壓 30V,電流 1800A;
熱阻測(cè)試(Riath)
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):JESD51-1、JESD51-14、JESD24-3、JESD24-4、JESD24-6;
試驗(yàn)對(duì)象:各類二極管;
試驗(yàn)?zāi)芰Γ核矐B(tài)熱阻、穩(wěn)態(tài)熱阻
瞬態(tài)熱阻測(cè)試-功率老化
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MM15FU120K 面議商鋪:http://www.kytsldc.cn/st727722/
主營(yíng)產(chǎn)品:功率半導(dǎo)體器件電參數(shù)測(cè)試,可靠性老化測(cè)試,環(huán)境老化,器件極限能力測(cè)試服務(wù)。
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