一、PECVD原理：
化學(xué)氣象沉積（chemical vapor deposition,簡稱CVD）是在一定的溫度條件下，混合氣體之間與基材表面相互作用，并且進一步在基材表面形成金屬膜或者化合物薄膜，使材料表面改性，以達到耐磨，抗氧化、抗腐蝕性等性能，在電子，光學(xué)，摩擦力學(xué)，機械應(yīng)用方面有很多應(yīng)用。
等離子化學(xué)氣象沉積（plasma enhanced chemical vapor deposition,簡稱PECVD）也叫做等離子體輔助化學(xué)氣象沉積（簡稱PACVD）則是依靠等離子體中得電子的動能去激活氣象得化學(xué)反應(yīng)，由于等離子體是離子、電子、中性原子和分子的集合體，因此大量的能量存在于等離子的內(nèi)能之中。PECVD是冷等離子體，是通過低壓氣體放電而形成的，一般是在幾帕到幾百帕的低氣壓下，通過射頻、中頻等放電所產(chǎn)生。
二、PECVD的特點：
與常規(guī)的熱CVD比較，PECVD具有更多的優(yōu)點
1、沉積溫度低：熱CVD的溫度一般高于600度，其應(yīng)用范圍非常有限，大部分只能用于實驗功能，PECVD的沉積溫度可以降到200度以內(nèi)，這是由于其內(nèi)能，也就是電子所具備的高能量所提供的。此優(yōu)點決定了其可以廣泛的應(yīng)用于各種金屬、半導(dǎo)體、電子等領(lǐng)域。
2、沉積速率及均勻性得到提高：PECVD在輝光放電中所用的壓力比較低，反應(yīng)物中分子、原子等離子粒團與電子之間的碰撞、散射、電離等作用增強，膜層厚度的均勻性得到改善，針孔減少，組織致密，內(nèi)應(yīng)力少，不易產(chǎn)生微裂紋。
3、可以獲得性能*的膜層：PECVD的輝光放電處于非平衡狀態(tài)，及能量耗散狀態(tài)，其沉積產(chǎn)物呈多樣性，可以獲得熱分解所不能得到的物質(zhì)，zui典型的，熱分解甲烷得到石墨薄膜，PECVD則可以得到金剛石薄膜。
三、公司設(shè)備特點
1、設(shè)備整體尺寸：550mm*550mm*1200mm（寬*深*高）
2、真空室尺寸：直徑70*高度110mm
3、平行板電極尺寸：直徑60mm
4、電極調(diào)節(jié)：可調(diào)節(jié)
5、真空系統(tǒng)：機械泵
6、極限真空度：1*10-3mabr。
7、濺射電源：射頻電源5KW
8、工藝匹配：手動匹配
9、氣體控制：質(zhì)量流量控制器 2路
10、真空檢測：電阻真空計
11、加熱系統(tǒng)：熱電阻加熱 1.2KW
12、控制方式：手動控制系統(tǒng)
四、PECVD設(shè)備的應(yīng)用
1、沉積DLC膜層：用與機械、電子、醫(yī)療等領(lǐng)域
2、沉積氮化硅：半導(dǎo)體行業(yè)、微電子行業(yè)
3、沉積TIN膜層：以及TIC等硬質(zhì)膜層，比離子鍍更光亮，更美觀
4、*管：CNTs是PECVD技術(shù)的一個新的應(yīng)用
5、太陽能薄膜電池：非晶硅太陽能電池的制備
公司名稱（現(xiàn)用名）：北京維意真空技術(shù)應(yīng)用有限責(zé)任公司
公司名稱（曾用名）：北京科立方真空技術(shù)應(yīng)用有限公司
覆蓋區(qū)域：北京、天津、河北
北京維意真空技術(shù)應(yīng)用有限責(zé)任公司，原名北京科立方真空技術(shù)應(yīng)用有限公司，創(chuàng)立于2013年，位于中國·首都北京密云經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)，主體經(jīng)營分為真空配件銷售、真空設(shè)備定制、淺藍納米科技三個部分，是北京從事真空產(chǎn)品設(shè)計、制造、銷售、維修、保養(yǎng)于一體的專業(yè)性的公司，公司擁有一支專業(yè)、優(yōu)秀的產(chǎn)品技術(shù)工程師和維修技術(shù)工程師，具有豐富的行業(yè)經(jīng)驗，同時還與北京工業(yè)大學(xué)聯(lián)合研發(fā)等離子體增強化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，與北京交通大學(xué)聯(lián)合研發(fā)原子層沉積系統(tǒng)，滿足高校、研究所的教學(xué)、科研使用，同時減少相關(guān)進口設(shè)備的*，并力爭創(chuàng)造外匯，打出中國創(chuàng)造的！
我們的客戶遍布北京各高校和研究院所、電力試驗所、各級的材料、物理、化學(xué)、納米等研究領(lǐng)域*的實驗室，期待您就是我們的下一位客戶、朋友！
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