HG-EM多入射角激光橢偏儀是針對光伏太陽能電池**研發(fā)和質(zhì)量控制領(lǐng)域推出的**型多入射角激光橢偏儀?？蓮V泛應(yīng)用于晶體硅太陽電池、薄膜太陽電池等。
HG-EM多入射角激光橢偏儀用于測量絨面單晶硅或多晶硅太陽電池表面減反膜鍍層的厚度以及在632.8nm下的折射率n。也可測量光滑平面材料上的單層或多層納米薄膜的膜層厚度，以及在632.8nm下折射率n和消光系數(shù)k。典型納米膜層包括SiNx，ITO，TiO2，SiO2，A12O3，HfO2等。應(yīng)用領(lǐng)域包括半導(dǎo)體、微電子、平板顯示等。
HG-EM激光橢偏儀融合多項(xiàng)科技專li技術(shù)，采用一體化樣品臺技術(shù)，兼容測量單晶和多晶太陽電池樣品，并實(shí)現(xiàn)二者的輕松轉(zhuǎn)換。一鍵式多線程操作軟件，使得儀器操作簡單安全。
特點(diǎn)：
· 粗糙絨面納米薄膜的高靈敏測量
· 原子層量級的*靈敏度和準(zhǔn)確度
· 百毫秒量級的快速測量
· 簡單方便安全的儀器操作
· 一鍵式操作
技術(shù)指標(biāo)：
項(xiàng)目 | 技術(shù)指標(biāo) |
儀器型號 | HG-EM激光橢偏儀 |
激光波長 | 632.8nm (He-Ne Laser) |
膜層厚度精度（1） | 0.01nm (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) |
0.03nm (對于絨面Si基底上80nm的Si3N4膜層) | |
折射率精度（1） | 1x10-4 (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) |
3x10-4(對于絨面Si基底上80nm的Si3N4膜層) | |
單次測量時間 | 與測量設(shè)置相關(guān)，典型0.6s |
結(jié)構(gòu) | PSCA（Δ在0°或180°附近時也具有*的準(zhǔn)確度） |
激光光束直徑 | 1mm |
入射角度 | 40°-90°可手動調(diào)節(jié)，步進(jìn)5° |
樣品方位調(diào)整 | 一體化樣品臺輕松變換可測量單晶或多晶樣品； |
可測量156*156mm電池樣品上每個點(diǎn) | |
Z軸高度調(diào)節(jié)：±6.5mm | |
二維俯仰調(diào)節(jié)：±4° | |
樣品對準(zhǔn)：光學(xué)自準(zhǔn)直顯微和望遠(yuǎn)對準(zhǔn)系統(tǒng) | |
樣品臺尺寸 | 平面樣品直徑可達(dá)Φ170mm |
兼容125*125mm和156*156mm的太陽能電池樣品 | |
**的膜層測量范圍 | 粗糙表面樣品：與絨面物理結(jié)構(gòu)及材料性質(zhì)相關(guān) |
光滑平面樣品：透明薄膜可達(dá)4000nm，吸收薄膜與材料性質(zhì)相關(guān) |
