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IGBT功率器件動態(tài)參數測試儀

參   考   價: ￥ 10

訂  貨  量: ≥1  件

具體成交價以合同協(xié)議為準

產品型號TC57300mos管

品       牌其他品牌

廠商性質生產商

所  在  地深圳市

更新時間：2020-02-10 15:22:46瀏覽次數：832次

聯(lián)系我時，請告知來自 環(huán)保在線
測量范圍 5000V,3000A 測量精度 雜散電感小于65NH
外形尺寸 1500*800*1800mm 用途 ibgt封裝,IGBT應用,電動車,地鐵IGBT測試儀
重量 130kgkg
IGBT功率器件動態(tài)參數測試儀主機可執(zhí)行非破壞性的瞬態(tài)測量測試，包括對半導體器件絕緣柵雙極晶體管（IGBT），功率MOSFET，二極管，雙極型器件的測試頭。主機包括所有測試設備和必要的軟件分析，可執(zhí)行電阻和電感的開關時間，開關損耗，柵極電荷，TRR /的Qrr和其他瞬態(tài)測試。

IGBT功率器件動態(tài)參數測試儀主機可執(zhí)行非破壞性的瞬態(tài)測量測試，包括對半導體器件絕緣柵雙極晶體管（IGBT），功率MOSFET，二極管，雙極型器件的測試頭。主機包括所有測試設備和必要的軟件分析，可執(zhí)行電阻和電感的開關時間，開關損耗，柵極電荷，TRR /的Qrr和其他瞬態(tài)測試。

IGBT功率器件動態(tài)參數測試儀概述

  • 測試電壓：zui大1200 VDC 200（短路電流可達1000A）
  • 定時測量：zui低為1 ns
  • 漏電流限制監(jiān)視器
  • -  MOSFET開關時間測試， Max VDD =1.2KV,0.1V Steps 
    -  MOSFET,Diodes Qrr/Trr反向恢復時間測試，Max VDD=1.2KV, 0.1V Steps
    -  Qrr range：1nc~100uc，Trr range：10ns~2us
    -  MOSFET柵電荷Qg測試，Max VDD =1.2KV,0.1V Steps 
    -  IGBT感性開關時間測試，Max VDD =1.2KV,0.1V Steps，Inductors range：0.1mH~159.9mH
    -  IGBT短路耐量測試，Max ISC=1000A

    測試標準： 
    - MIL-STD-750 Series

ITC57300mos管功率器件動態(tài)參數測試儀選項

  • 額外的電源供應器
  • 額外的測試頭
  • 大包裝適配器

ITC57300mos管功率器件動態(tài)參數測試儀測試頭

  • ITC57210 - N-通道和P-通道功率MOSFET，MIL-STD-750方法3472開關時間
  • ITC57220 - TRR /電源，MOSFET和二極管的Qrr，MIL-STD-750方法，3473
  • ITC57230 - 柵極電荷功率MOSFET，MIL-STD-750方法3471
  • ITC57240 - 電感式開關時間為IGBT，MIL-STD 750方法3477
  • ITC57250 - （ISC）短路耐受時間，MIL-STD-750方法3479

 

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